Non-volatile Fe-ReRAM using ferroelectric thin films

この研究では,非鉛強誘電体であるBiFeO3(BFO)が分極の向きにより流れるリーク電流の大きさが変化することに注目しました。ただ,BFOはリーク電流が流れすぎるためジュール熱による破壊が起きやすい傾向にあります。そこで,BFOにNdを元素置換することによりリーク電流を抑えたBi1.0Nd0.1Fe1.0O3(BNF)のMFMキャパシタ構造を作製し,メモリ応用に向けた特性評価を行っています。

スイッチング電荷量(QSW = P*-P^)電圧依存性では,分極反転の影響による急激な立ち上がりを確認しています。また,J-V特性では抵抗変化によるOFF状態とON状態の区別ができています。現在,作製条件などを調整し,さらなる特性の向上を目指しています。

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